НЕИСПРАВНОСТИ SAMSUNG

короткие по времени. Например +125 прыгать могут до +160 -180 вольт.
В особо случаях тяжёлых БП так идёт вразнос, что R2М пополам
разрывает, пробивается и транзистор строчный, сам БП режима КЗ не
выдерживает и самоуничтожается. Виновник неприятностей всех - весьма
тяжёлый режим температурный транзистора полевого в SMR. Со временем
он работу дестабилизирует прочей части микросхемы. В данных случаях
полевой транзистор в SMR пробивается, остальная же часть её и
микросборка HIS сравнительно часто целыми остаются. Я убедился в
этом, когда у меня скопилась довольно большая кучка комплектов
заменённых, какие я не выкидывал, а как Плюшкин, в коробочку собирал.
И вот момент пришёл поэкспериментировать.У SMR, пробитые полевики
отпилил (информацию отыскав о том, что довольно распилить пополам
SMR на расстоянии 8-10 мм от отверстия крепёжного) и центральную
ножку откусил. На радиатор вместо SMR ставил полевик обычный
(пробовал BUZ90A, КП707, K1537, других не было под рукой). Хоть режим
температурный транзистора был таким же тяжёлым катастрофически, зато